Módulos IGBT
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Módulos IGBT

Módulos IGBT

La aplicación de módulos IGBT en fuentes de alimentación de inducción puede otorgarles más ventajas.
Primero, aprendamos sobre los módulos IGBT. IGBT es un transistor bipolar de puerta aislada, que es un dispositivo semiconductor de potencia controlado por voltaje compuesto y totalmente controlado compuesto por MOS (transistor de efecto de campo de puerta aislada) y BJT (transistor bipolar). Tiene la alta impedancia de entrada de MOSFET y la baja caída de voltaje de conducción de GTR, lo que puede lograr una baja potencia de conducción y un voltaje de saturación reducido. Por lo tanto, se usa ampliamente en campos con voltaje de CC de 600 V y superior.
Módulos IGBT

 

La aplicación de módulos IGBT en fuentes de alimentación de inducción puede otorgarles más ventajas.

 

Primero, aprendamos sobre los módulos IGBT. IGBT es un transistor bipolar de puerta aislada, que es un dispositivo semiconductor de potencia controlado por voltaje compuesto y totalmente controlado compuesto por MOS (transistor de efecto de campo de puerta aislada) y BJT (transistor bipolar). Tiene la alta impedancia de entrada de MOSFET y la baja caída de voltaje de conducción de GTR, lo que puede lograr una baja potencia de conducción y un voltaje de saturación reducido. Por lo tanto, se usa ampliamente en campos con voltaje de CC de 600 V y superior.

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¿Cuáles son las ventajas de utilizar módulos IGBT en las fuentes de alimentación de inducción? En concreto, las siguientes:

 

  • El módulo IGBT puede apagar automáticamente las conexiones de combinación de transistores de alta potencia y tubos MOS sin necesidad de intervención de circuitos externos, por lo que el equipo es estable y confiable. Incluso en caso de penetración en el horno, puesta a tierra o quema del cable de refrigeración por agua, el módulo IGBT no se daña fácilmente.
  • El módulo IGBT no requiere un inductor de núcleo vacío, lo que significa que no hay rebabas de conmutación de corriente en el inductor, lo que lo hace menos propenso a romperse y encenderse entre vueltas del inductor, lo que puede extender la vida útil del revestimiento del horno.
  • La frecuencia intermedia del IGBT adopta modulación de frecuencia y regulación de potencia, y la parte de rectificación adopta rectificación de puente completo, filtrado de inductores y capacitores, y opera continuamente a 500 V. Por lo tanto, la frecuencia intermedia del IGBT genera pequeños armónicos de alto orden, lo que causa una baja contaminación a la red eléctrica.
  • La fuente de alimentación de frecuencia intermedia del transistor IGBT de ahorro de energía adopta un método de rectificación semicontrolable, y la parte de rectificación no ajusta el ángulo de conducción del tiristor, por lo que el factor de potencia durante todo el proceso de trabajo es siempre mayor que 0.98, sin pérdida de potencia.
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